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12 인치 단결정 실리콘 웨이퍼

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주요 속성

기타 속성

원래 장소
Jiangsu, China
유명 상표
henglixin
모델 번호
N and P
유형
실리콘 웨이퍼
Growth method
CZ or MCZ
Crystal orientation
100
Deviation of crystal orientation
0 ± 1°
Dopants
phosphorus
Resistivity (Ω.cm)
1-100 or >100
Radial resistivity change
<15%@6mm
Oxygen content (ppma)
8-18(New ASTM)
Change in radial oxygen content
<10%@10mm
Carbon content (ppma)
≤1
Dislocation density (pcs/cm2)
0

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