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2N3904 TO-92 하이 퀄리티 오리지널 반도체 칩 인라인 3 극관 트랜지스터 igbt 칩 2N3904
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주요 속성
핵심 산업 사양
모델 번호
2N3904
유형
Transistor
유명 상표
Goldeleway
포장 유형
Through Hole
기타 속성
장착 유형
Through Hole
설명
Transistors MOSFET 75V 80A
원래 장소
China
패키지/케이스
TO-220-3
유형
MOSFETs Single FETs
작용 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
시리즈
STripFE
D/ C
Newest
신청
범용
공급 유형
원래 제조 업체, ODM, 기관, 소매
상호 참조
Transistor
미디어 가능
데이터 시트, 사진, EDA CAD 모델
品名
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
230V
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
3V @@ 800mA 8A
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
55 @@ 1A 5V
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
마운트 유형
구멍
저항 (R1)
-
저항 이미터 (R2)
-
FET 유형
N-Channel
FET 특징
-
드레인 근원 전압 (Vdss)
75V
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Rds (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @@ 40A 10V
Vgs (th) (최대) @ Id
4V @@ 250ua
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
160nC @@ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
3700pF @@ 25V
주파수
-
현재 등급 (암페어)
-
잡음
-
전원 출력
-
전압-정격
-
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
10V
Vgs (최대)
±20V
IGBT 유형
-
구성
-
Vce () (최대) @ Vge, Ic
-
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
-
입력
-
NTC 서미스터
-
전압 고장 (V (BR) GSS)
-
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
현재 하수구 (Id)-Max
-
전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
-
저항 RDS (On)
-
전압
-
전압-출력
-
전압 오프셋 (Vt)
-
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
-
전류 밸리 (Iv)
-
전류-피크
-
응용프로그램
General Purpose
Delivery Time
1-3days
Quality
Original
Lead Free Status
Lead free/RoHS Compliant
Shipping by
DHL,UPS,Fedex and EMS
Quality Guarantee
30~45 days
Payment
Paypal Acceptable
Packing
Original Sealed
Datasheets
Pls Email
포장 및 배송
판매 단위:
단일 품목
단일 패키지 크기:
10X15X13 cm
단일 총 중량:
0.050 kg
리드 타임
| 수량 (개) | 1 - 100 | > 100 |
| 예상 시간(일) | 3 | 협의 예정 |
커스터마이징
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