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ANBON TO-247-3 N 채널 1200V 36A AS1M080120P SiC 파워 MOSFET 트랜지스터
(2 후기)
#11
의 가장 인기 있는 Mosfet 드라이버 용 트랜지스터
Shenzhen Anbon Semiconductor Co., Ltd.
복합 전문 공급업체
5 yrs
CN
주요 속성
핵심 산업 사양
모델 번호
AS1M080120P
유형
MOSFET
유명 상표
Anbon
포장 유형
생각 구멍
기타 속성
장착 유형
표면 마운트
설명
AS1M080120P N 채널 SiC Mosfet 트랜지스터
원래 장소
Guangdong, China
패키지/케이스
TO-247-3
신청
MOSFET 드라이버
공급 유형
원래 제조 업체
미디어 가능
데이터 시트
전원 최대
192W
작동 온도
-+ 150 ℃까지 55 ℃
마운트 유형
구멍
FET 유형
N-채널
드레인 근원 전압 (Vdss)
1200V
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
36A
Rds (Max) @ Id, Vgs
98mR @ 20V/20A
Vgs (th) (최대) @ Id
4.0V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
79nC
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1475pF
다이오드 유형
SiC Mosfet 트랜지스터
패키지
TO-247-3
포장 및 배송
포장 세부정보
밀봉 & 튼튼한 포장
공급 능력
공급 능력
25000000 개 per Month
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리드 타임
수량 (개)
1 - 3000
> 3000
예상 시간(일)
15
협의 예정
커스터마이징
Customized Design
최소 주문: 10000000
더 자세한 맞춤 제작 세부사항은,
공급업체에 메시지 보내기
공급업체의 제품 설명
>= 1 개
US$5.36
변형
총 옵션:
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