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ANBON TO-247-3 N 채널 1200V 36A AS1M080120P SiC 파워 MOSFET 트랜지스터

Shenzhen Anbon Semiconductor Co., Ltd.복합 전문 공급업체5 yrsCN

주요 속성

핵심 산업 사양

모델 번호
AS1M080120P
유형
MOSFET
유명 상표
Anbon
포장 유형
생각 구멍

기타 속성

장착 유형
표면 마운트
설명
AS1M080120P N 채널 SiC Mosfet 트랜지스터
원래 장소
Guangdong, China
패키지/케이스
TO-247-3
신청
MOSFET 드라이버
공급 유형
원래 제조 업체
미디어 가능
데이터 시트
전원 최대
192W
작동 온도
-+ 150 ℃까지 55 ℃
마운트 유형
구멍
FET 유형
N-채널
드레인 근원 전압 (Vdss)
1200V
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
36A
Rds (Max) @ Id, Vgs
98mR @ 20V/20A
Vgs (th) (최대) @ Id
4.0V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
79nC
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1475pF
다이오드 유형
SiC Mosfet 트랜지스터
패키지
TO-247-3

포장 및 배송

포장 세부정보
밀봉 & 튼튼한 포장

공급 능력

공급 능력
25000000 개 per Month

리드 타임

수량 (개)1 - 3000 > 3000
예상 시간(일)15협의 예정

커스터마이징

Customized Design
최소 주문: 10000000

공급업체의 제품 설명

>= 1 개
US$5.36

변형

총 옵션:

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