설명
MOSFET N-CHANNEL 60V 13.5A 8SO
패키지/케이스
8-SOIC (0.154" 3.90mm Width)
미디어 가능
데이터 시트, 사진, EDA CAD 모델, Other
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
same as original
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
original standard
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
same as original
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
original standard
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
same as original
저항 이미터 (R2)
original standard
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
13.5A (Ta)
Rds (Max) @ Id, Vgs
9.8mOhm @ 13.5A 10V
Vgs (th) (최대) @ Id
2.4V @ 250uA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
13 nC @ 4.5 V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1100 pF @ 30 V
현재 등급 (암페어)
same as original
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
same as original
구성
Single Quad Drain Triple Source
Vce () (최대) @ Vge, Ic
same as original
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
original standard
NTC 서미스터
original standard
전압 고장 (V (BR) GSS)
same as original
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
original standard
현재 하수구 (Id)-Max
same as original
전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
original standard
저항 RDS (On)
same as original
전압 오프셋 (Vt)
original standard
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
same as original
전류 밸리 (Iv)
original standard
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Maximum Continuous Drain Current (A)
13.5
Number of Elements per Chip
1
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant