설명
Audio power amplifier transistor
원래 장소
Florida, United States
品名
Audio power amplifier transistor
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
Standard
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
Standard
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
Standard
Rds (Max) @ Id, Vgs
Standard
Vgs (th) (최대) @ Id
Standard
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
Standard
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
Standard
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
Standard
Vce () (최대) @ Vge, Ic
Standard
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
Standard
전압 고장 (V (BR) GSS)
Standard
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
Standard
전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
Standard
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
Standard
reference package
TO-3P-3L
mounting
Through hole mounting
length width height
15.6mm*4.8mm*18.7mm
operating temperature
-65℃(TJ)~150℃(TJ)