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BD136 BD138 BD140 BD135 BD137 BD139 1.5A 45V/60V/80V TO-126 상축 실리콘 트랜지스터

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주요 속성

핵심 산업 사양

모델 번호
BD136
유형
달링턴 트랜지스터
유명 상표
JSMSEMI
포장 유형
생각 구멍

기타 속성

장착 유형
TO-126
설명
실리콘 트랜지스터
원래 장소
Guangdong, China
패키지/케이스
TO-126
D/ C
2024
신청
범용
공급 유형
원래 제조 업체
상호 참조
BD138, BD140
미디어 가능
데이터 시트, 사진
品名
실리콘 트랜지스터
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
1.5A
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
80V
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
0
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
1.5A
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
80V
전원 최대
1.25W
작동 온도
-55-150
마운트 유형
구멍
저항 (R1)
0
저항 이미터 (R2)
0
FET 유형
트랜지스터
FET 특징
실리콘 카바이드 (SiC)
드레인 근원 전압 (Vdss)
80V
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
1.5A
Rds (Max) @ Id, Vgs
0
Vgs (th) (최대) @ Id
0
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
0
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
0
주파수
0
현재 등급 (암페어)
1.5A
잡음
0
전원 출력
1.25W
전압-정격
80V
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
80V
IGBT 유형
트랜지스터
구성
적용
입력
1.25W
전압 고장 (V (BR) GSS)
80V
현재 하수구 (Id)-Max
1.25A
전압
80V
전압-출력
80V
전압 오프셋 (Vt)
80V
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
1.25A
전류 밸리 (Iv)
1.25A
전류-피크
1.25A
응용프로그램
전원 스위칭
트랜지스터 유형
실리콘 트랜지스터

포장 및 배송

판매 단위:
여러 1000
배치당 패키지 크기:
22X22X7 cm
배치당 총 중량:
0.700 kg

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최소 주문: 10000

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