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BOM 목록 서비스 MOSFET FDF12N60 트랜지스터 FDPF12N60NZ 오리지널 IC 칩

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Shenzhen Gihe Electronics Co., Ltd.복합 전문 공급업체3 yrsCN

주요 속성

핵심 산업 사양

모델 번호
FDPF12N60NZ
유형
MOSFET
유명 상표
standard

기타 속성

장착 유형
표준
설명
오리지널
원래 장소
Guangdong, China
패키지/케이스
표준
D/ C
최신
신청
범용
공급 유형
원래 제조 업체, ODM, 기관, 소매, 기타
미디어 가능
데이터 시트, 사진, EDA CAD 모델, 기타
品名
FDPF12N60NZ
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
표준
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
표준
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
표준
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
표준
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
표준
전원 최대
표준
주파수-전환
표준
작동 온도
표준
저항 (R1)
표준
저항 이미터 (R2)
표준
FET 유형
표준
FET 특징
표준
드레인 근원 전압 (Vdss)
표준
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
표준
Rds (Max) @ Id, Vgs
표준
Vgs (th) (최대) @ Id
표준
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
표준
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
표준
주파수
표준
현재 등급 (암페어)
표준
잡음
표준
전원 출력
표준
전압-정격
표준
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
표준
Vgs (최대)
표준
IGBT 유형
표준
Vce () (최대) @ Vge, Ic
표준
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
표준
입력
표준
NTC 서미스터
표준
전압 고장 (V (BR) GSS)
표준
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
표준
현재 하수구 (Id)-Max
표준
전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
표준
저항 RDS (On)
표준
전압
표준
전압-출력
표준
전압 오프셋 (Vt)
표준
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
표준
전류 밸리 (Iv)
표준
전류-피크
표준
응용프로그램
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