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BUK7Y15-60E SOT669 N-FET 새로운 오리지널 스톡
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주요 속성
핵심 산업 사양
모델 번호
BUK7Y15-60E
유형
JFET
유명 상표
othet
포장 유형
SOT669
기타 속성
장착 유형
surface mounting
설명
94W(Tc) 60V 53A, 4V 25.4nC
원래 장소
Eindhoven
패키지/케이스
SOT-669
유형
field effect tube
작용 온도
-55~175
시리즈
BUK7Y15-60E
D/ C
Newest
신청
MOSFET 드라이버
공급 유형
Other
미디어 가능
데이터 시트, 사진
品名
BUK7Y15-60E N-FET 60V 53A SOT-669
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
BUK7Y15-60E
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
BUK7Y15-60E
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
BUK7Y15-60E
전원 최대
94W
주파수-전환
BUK7Y15-60E
작동 온도
-55°C 175°C
마운트 유형
표면 마운트
저항 (R1)
BUK7Y15-60E
저항 이미터 (R2)
BUK7Y15-60E
FET 유형
N-FET
FET 특징
표준
드레인 근원 전압 (Vdss)
60V
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
53A
Rds (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @10V
Vgs (th) (최대) @ Id
4V @ 250ua
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
25.4nC@10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1.378pF @ 25V
주파수
Please refer to specification book
현재 등급 (암페어)
Please refer to specification book
잡음
Please refer to specification book
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
10V
Vgs (최대)
±20V
IGBT 유형
field effect tube
응용프로그램
General Purpose
트랜지스터 유형
field effect tube
포장 및 배송
항구
Contact supplier to negotiate shipping details
리드 타임
| 수량 (개) | 1 - 50000 | 50001 - 80000 | > 80000 |
| 예상 시간(일) | 1 | 2 | 협의 예정 |
커스터마이징
To be negotiated
최소 주문: 10000
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공급업체의 제품 설명
1 - 99 개
₩1,376
100 - 999 개
₩963
>= 1000 개
₩757
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