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CRST030N10N CRST030N10N TO-220 MOSFET 다이오드 삼극관 트랜지스터
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주요 속성
핵심 산업 사양
모델 번호
CRST030N10N
유형
MOSFET
유명 상표
YMX
포장 유형
표면 마운트
기타 속성
원래 장소
Guangdong, China
패키지/케이스
1
신청
마이크로폰
공급 유형
원래 제조 업체, 기관, 소매, 다른
미디어 가능
데이터 시트, 사진, EDA CAD 모델, 다른
品名
MOS
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
1
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
1
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
1
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
1
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
1
전원 최대
1
주파수-전환
1
저항 (R1)
1
저항 이미터 (R2)
1
FET 유형
1
FET 특징
실리콘 카바이드 (SiC)
드레인 근원 전압 (Vdss)
1
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
1
Rds (Max) @ Id, Vgs
1
Vgs (th) (최대) @ Id
1
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
1
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1
주파수
1
현재 등급 (암페어)
1
잡음
1
전원 출력
1
전압-정격
1
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
1
Vgs (최대)
1
IGBT 유형
1
구성
단일
Vce () (최대) @ Vge, Ic
1
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
1
입력
1
NTC 서미스터
1
전압 고장 (V (BR) GSS)
1
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
1
현재 하수구 (Id)-Max
1
전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
1
저항 RDS (On)
1
전압
1
전압-출력
1
전압 오프셋 (Vt)
1
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
1
전류 밸리 (Iv)
1
전류-피크
1
응용프로그램
1
포장 및 배송
포장 세부정보
NB
항구
shenzhen
공급 능력
공급 능력
9999 팩 per Day
리드 타임
| 수량 (팩 ) | 1 - 1000 | 1001 - 100000 | 100001 - 10000000 | > 10000000 |
| 예상 시간(일) | 3 | 5 | 7 | 협의 예정 |
공급업체의 제품 설명
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