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CS65N25ANR MOSFET N 채널 250V 65A 트랜지스터 전자 부품 CS65N25 TO-3P(N)
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주요 속성
핵심 산업 사양
유형
MOSFET
유명 상표
original
포장 유형
생각 구멍
기타 속성
설명
TO-3P(N)
패키지/케이스
TO-3P(N)
시리즈
MOSFET
D/ C
NEW
신청
transistor
공급 유형
원래 제조 업체
미디어 가능
데이터 시트
品名
transistor
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
standard
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
standard
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
standard
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
standard
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
standard
전원 최대
standard
주파수-전환
standard
작동 온도
standard
마운트 유형
Throught Hole
저항 (R1)
standard
저항 이미터 (R2)
standard
FET 유형
standard
FET 특징
표준
드레인 근원 전압 (Vdss)
standard
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
standard
Rds (Max) @ Id, Vgs
standard
Vgs (th) (최대) @ Id
standard
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
standard
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
standard
주파수
standard
현재 등급 (암페어)
standard
전원 출력
standard
전압-정격
standard
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
standard
Vgs (최대)
standard
Vce () (최대) @ Vge, Ic
standard
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
standard
입력
standard
전압 고장 (V (BR) GSS)
standard
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
standard
현재 하수구 (Id)-Max
standard
전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
standard
전압
standard
전압-출력
standard
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
standard
전류-피크
standard
응용프로그램
Transistor
D/C
NEW
Specifications
CS65N25ANR
포장 및 배송
포장 세부정보
튜브
판매 단위:
단일 품목
단일 패키지 크기:
1X1X1 cm
단일 총 중량:
0.100 kg
리드 타임
| 수량 (개) | 1 - 100 | > 100 |
| 예상 시간(일) | 4 | 협의 예정 |
공급업체의 제품 설명
최소 주문 수량: 1 개
IDR 24,550Membership benefits
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