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D1005UK 80W 28V 175MHz RF MOSFET RF 트랜지스터 RF VDMOS 트랜지스터

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주요 속성

핵심 산업 사양

모델 번호
D1005UK
유형
RF 트랜지스터
유명 상표
Original
포장 유형
표면 마운트

기타 속성

장착 유형
standard
설명
D1005UK RF MOSFET RF transistor RF VDMOS transistor
원래 장소
Original
패키지/케이스
metal + ceramic
유형
RF MOSFET RF transistor RF VDMOS transistor
작용 온도
-65 to 150°C
시리즈
28V devices for frequencies to 1 GHz
D/ C
23+
신청
고주파
공급 유형
ODM, 기관, 소매
品名
D1005UK 80W 28V 175MHz RF MOSFET
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
standard
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
standard
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
standard
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
standard
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
standard
전원 최대
80W
주파수-전환
1-175MHz
작동 온도
-65 to 150°C
마운트 유형
표면 마운트
저항 (R1)
standard
저항 이미터 (R2)
standard
FET 유형
VDMOS
FET 특징
표준
드레인 근원 전압 (Vdss)
70V
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
20A
Rds (Max) @ Id, Vgs
standard
Vgs (th) (최대) @ Id
7V
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
standard
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
240 pF
주파수
1-175MHz
현재 등급 (암페어)
20A
잡음
standard
전원 출력
80W
전압-정격
28V
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
standard
Vgs (최대)
7V
IGBT 유형
standard
구성
standard
Vce () (최대) @ Vge, Ic
standard
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
standard
입력
standard
NTC 서미스터
standard
전압 고장 (V (BR) GSS)
±20V
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
2 mA
현재 하수구 (Id)-Max
20A
전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
70V
저항 RDS (On)
standard
전압
standard
전압-출력
standard
전압 오프셋 (Vt)
standard
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
standard
전류 밸리 (Iv)
standard
전류-피크
standard
응용프로그램
standard
트랜지스터 유형
RF MOSFET

포장 및 배송

판매 단위:
단일 품목
단일 패키지 크기:
15X10X6 cm
단일 총 중량:
0.400 kg

리드 타임

수량 (개)1 - 1011 - 100 > 100
예상 시간(일)37협의 예정

커스터마이징

Customized logo
최소 주문: 1000
Customized packaging
최소 주문: 1000
Graphic customization
최소 주문: 1000

공급업체의 제품 설명

1 - 49 개
US$25.90
>= 50 개
US$15.90

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