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DBA200UA60 트랜지스터 모스펫 다이오드 IGBT 전원 모듈 DBA100UA40 DBA200UA40 DBA100UA60
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주요 속성
핵심 산업 사양
모델 번호
DBA200UA60
유형
MOSFET
유명 상표
ORIGINAL
포장 유형
IGBT 모듈
기타 속성
장착 유형
-
설명
IGBT 모듈
원래 장소
Guangdong, China
패키지/케이스
IGBT 모듈
유형
IGBT 모듈
작용 온도
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
시리즈
DBA200UA60
D/ C
새로운
신청
MOSFET 드라이버
공급 유형
소매, 기타
상호 참조
-
미디어 가능
데이터 시트, 사진
品名
IGBT 모듈
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
120A
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
600V
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
N/A
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
N/A
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
N/A
전원 최대
600W
주파수-전환
N/A
저항 (R1)
N/A
저항 이미터 (R2)
N/A
FET 유형
N/A
드레인 근원 전압 (Vdss)
N/A
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
N/A
Rds (Max) @ Id, Vgs
N/A
Vgs (th) (최대) @ Id
N/A
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
N/A
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
N/A
주파수
N/A
현재 등급 (암페어)
N/A
잡음
N/A
전원 출력
N/A
전압-정격
N/A
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
N/A
Vgs (최대)
N/A
IGBT 유형
필드 스톱
Vce () (최대) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 60A
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
N/A
입력
N/A
NTC 서미스터
N/A
전압 고장 (V (BR) GSS)
N/A
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
N/A
현재 하수구 (Id)-Max
N/A
전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
N/A
저항 RDS (On)
N/A
전압
N/A
전압-출력
N/A
전압 오프셋 (Vt)
N/A
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
N/A
전류 밸리 (Iv)
N/A
전류-피크
N/A
응용프로그램
N/A
포장 및 배송
판매 단위:
단일 품목
단일 패키지 크기:
XX cm
단일 총 중량:
kg
리드 타임
| 수량 (개) | 1 - 20 | > 20 |
| 예상 시간(일) | 7 | 협의 예정 |
공급업체의 제품 설명
>= 2 개
€13.91
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