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GD300HFU120 사이리스터 IGBT 모듈 GD300HFU120C2S
5.0(1 review)주문 2개
주요 속성
핵심 산업 사양
유형
사이리스터 모듈
D/ C
NEW
포장
IGBT Module
기타 속성
패키지/케이스
IGBT Module
장착 유형
Panel
설명
Half Bridge
모델 번호
GD300HFU120C2S
원래 장소
Guangdong, China
유명 상표
ORIGINAL
전압
3V 1.2kV
전류
395A
구성
395A
고립
1.984kW
시리즈
Half Bridge
IGBT Configuration
Half Bridge
Transistor Case Style
Module
Continuous Collector Current
395A
Collector Emitter Saturation Voltage
3V
Power Dissipation
1.984kW
Operating Temperature Max
125°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
IGBT Technology
IGBT Technology
Transistor Mounting
Panel
포장 및 배송
포장 세부정보
카톤 상자
항구
SHENZHEN,YANTIAN,SHEKOU
공급 능력
공급 능력
1000 개 per Day
리드 타임
| 수량 (개) | 1 - 1000 | > 1000 |
| 예상 시간(일) | 3 | 협의 예정 |
커스터마이징
Customized packaging
최소 주문: 1000
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