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IRFB3077PBF 전원 필드 효과 트랜지스터 MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB 집적 회로 ic 칩 IRFB3077PBF
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주요 속성
핵심 산업 사양
모델 번호
IRFB3077PBF
유형
Power Field-Effect Transistors
유명 상표
E-TAG
포장 유형
생각 구멍
기타 속성
원래 장소
Guangdong, China
패키지/케이스
TO-220-3
D/ C
New
신청
Power Management, Battery Operated Drive
공급 유형
원래 제조 업체, 기관
미디어 가능
데이터 시트, 사진, EDA CAD 모델
品名
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
25A
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
100V
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
4V @ 5A, 25A
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
10 @ 15A, 4V
전원 최대
125W
주파수-전환
3MHz
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
마운트 유형
구멍
FET 유형
N-Channel
드레인 근원 전압 (Vdss)
75V
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
120A (Tc)
Rds (Max) @ Id, Vgs
3.3mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id
4V @ 250uA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
220nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
9400pF @ 50V
주파수
3 MHz
전원 출력
370 W
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
10V
Vgs (최대)
±20V
응용프로그램
Power Management, Full-Bridge, Push-Pull
포장 및 배송
포장 세부정보
IRFB3077PBF Power Field-Effect Transistors MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB integrated circuits ic chip IRFB3077PBF
공급 능력
공급 능력
1000 개 per Day
리드 타임
| 수량 (개) | 1 - 1000 | > 1000 |
| 예상 시간(일) | 3 | 협의 예정 |
커스터마이징
Customized packaging
최소 주문: 1000000
더 자세한 맞춤 제작 세부사항은, 공급업체에 메시지 보내기
