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재고 AO4407A MOSFET 트랜지스터 P-CH 30V 12A SOP8 AO4407

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주요 속성

핵심 산업 사양

모델 번호
AO4407A
유형
MOSFET
유명 상표
original
포장 유형
표면 마운트

기타 속성

장착 유형
최신
설명
MOSFET 250V N-CH HEXFET
원래 장소
Guangdong, China
패키지/케이스
8-SOIC (0.154", 3.90mm 폭)
유형
트랜지스터
작용 온도
-55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표준
시리즈
-55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표준
D/ C
최신
신청
-
공급 유형
원래 제조 업체, ODM, 기관, 소매
상호 참조
-
미디어 가능
데이터 시트, 사진
品名
오리지널
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
-
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
-
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
-
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
-
전원 최대
-
주파수-전환
-
저항 (R1)
-
저항 이미터 (R2)
-
FET 유형
P-채널, P-채널
FET 특징
표준
드레인 근원 전압 (Vdss)
30V, 30V
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
12A (Ta), 12A (Ta)
Rds (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 12A, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id
3V @ 250uA, 3V @ 250uA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
39nC @ 10V, 39nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2600pF @ 15V, 2600pF @ 15V
주파수
-
현재 등급 (암페어)
-
잡음
-
전원 출력
-
전압-정격
-
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
6V, 20V
Vgs (최대)
± 25V, ± 25V
IGBT 유형
-
구성
-
Vce () (최대) @ Vge, Ic
-
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
-
입력
-
NTC 서미스터
-
전압 고장 (V (BR) GSS)
-
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
현재 하수구 (Id)-Max
-
전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
-
저항 RDS (On)
-
전압
-
전압-출력
-
전압 오프셋 (Vt)
-
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
-
전류 밸리 (Iv)
-
전류-피크
-
응용프로그램
-
제품 이름
AO4407A
드라이브 전압 (최대 Rds 켜기, 최소 Rds 켜기)
6V, 20V
키워드
AO4407A

리드 타임

수량 (개)1 - 1000 > 1000
예상 시간(일)2협의 예정

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1 - 99 개
CN¥3.63
>= 100 개
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