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MMBT3904 1AM MMBT3906 2A 200mA 40V 스위칭 트랜지스터 MMBT3904LT1G MMBT3906LT1G PMBT3904 PMBT3906 2N3904 2N3906

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주요 속성

핵심 산업 사양

모델 번호
MMBT3904
유형
바이폴라 트랜지스터
유명 상표
JSMSEMI
포장 유형
표면 마운트

기타 속성

장착 유형
SOT23
설명
200mA 40V Switching Transistor
원래 장소
Guangdong, China
패키지/케이스
SOT-23
유형
Transistor
작용 온도
-55-150C
D/ C
2024
신청
전원 스위치 회로
공급 유형
원래 제조 업체
상호 참조
MMBT3906
미디어 가능
데이터 시트, 사진
品名
Transistor
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
200MA
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
40V
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
0
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
200MA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
40V
전원 최대
350MW
작동 온도
-55-150
마운트 유형
표면 마운트
저항 (R1)
0
저항 이미터 (R2)
0
FET 유형
General Purpose Amplifier
FET 특징
실리콘 카바이드 (SiC)
드레인 근원 전압 (Vdss)
40V
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
200MA
Rds (Max) @ Id, Vgs
0
Vgs (th) (최대) @ Id
0
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
0
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
0
주파수
0
현재 등급 (암페어)
200MA
잡음
0
전원 출력
350MW
전압-정격
40V
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
40V
IGBT 유형
Transistor
구성
적용
입력
350MW
전압 고장 (V (BR) GSS)
40V
현재 하수구 (Id)-Max
200MA
전압
40V
전압-출력
40V
전압 오프셋 (Vt)
40V
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
200MA
전류 밸리 (Iv)
200MA
전류-피크
200MA
응용프로그램
General Purpose Amplifier
트랜지스터 유형
Switching Transistor

포장 및 배송

판매 단위:
단일 품목
단일 패키지 크기:
22X22X4 cm
단일 총 중량:
0.150 kg

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