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MOSFET 9N03 20N03 50N03 더 많은 모델 60N03 80N03 90N03 100N03B 트랜지스터
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주요 속성
핵심 산업 사양
모델 번호
9N03 20N03 50N03
유형
쇼트키 다이오드
유명 상표
jo
포장 유형
표면 마운트
기타 속성
설명
모스펫
원래 장소
Guangdong, China
패키지/케이스
-
시리즈
아니
D/ C
조
신청
원래 제조업체
공급 유형
원래 제조 업체, 원래 제조 업체
상호 참조
-----
미디어 가능
기타
品名
아니
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
아니
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
아니
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
아니
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
아니
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
아니
전원 최대
-
주파수-전환
아니
작동 온도
-
마운트 유형
구멍
저항 (R1)
아니
저항 이미터 (R2)
아니
FET 유형
아니
FET 특징
로직 레벨 게이트, 5V 드라이브
드레인 근원 전압 (Vdss)
아니
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
아니
Rds (Max) @ Id, Vgs
아니
Vgs (th) (최대) @ Id
아니
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
아니
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
아니
주파수
아니
현재 등급 (암페어)
아니
잡음
아니
전원 출력
아니
전압-정격
아니
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
아니
Vgs (최대)
아니
IGBT 유형
아니
구성
삼상 인버터 브레이크
Vce () (최대) @ Vge, Ic
아니
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
아니
입력
아니
NTC 서미스터
아니
전압 고장 (V (BR) GSS)
아니
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
아니
현재 하수구 (Id)-Max
아니
전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
아니
저항 RDS (On)
아니
전압
아니
전압-출력
아니
전압 오프셋 (Vt)
아니
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
아니
전류 밸리 (Iv)
아니
전류-피크
아니
응용프로그램
아니
포장 및 배송
포장 세부정보
조
항구
shenzhen
공급 능력
공급 능력
1000 백 per Day
리드 타임
공급업체의 제품 설명
500 - 9999 개
€0.4667
>= 10000 개
€0.2801
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