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      NDT451AN 트랜지스터 N 채널 30 V 7.2A (Ta) 3W (Ta) 표면 마운트 컴포넌트 트랜지스터 재료 트랜지스터

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      Yunfu Hongkong Electronics Co.,Ltd.2 yrsCN

      주요 속성

      핵심 산업 사양

      모델 번호
      NDT451AN
      유형
      MOSFET
      유명 상표
      Original Brand
      포장 유형
      TO-261-4 & TO-261AA

      기타 속성

      장착 유형
      Surface Mount
      설명
      MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223-4
      원래 장소
      Original
      패키지/케이스
      TO-261-4 & TO-261AA
      유형
      Single FETs MOSFETs
      작용 온도
      -65°C ~ 150°C (TJ)
      시리즈
      N-Channel
      D/ C
      newest
      신청
      범용
      공급 유형
      소매
      상호 참조
      NDT451ANCT-NDR
      미디어 가능
      데이터 시트, 사진, EDA CAD 모델
      品名
      Transistors
      전류 콜렉터 (Ic) (최대)
      7.2 A
      전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
      30 V
      Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
      Standard
      전류 콜렉터 컷오프 (최대)
      7.2 A
      DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
      Standard
      전원 최대
      3W(Ta)
      주파수-전환
      Standard
      작동 온도
      -65°C ~ 150°C(TJ)
      마운트 유형
      표면 마운트
      저항 (R1)
      Standard
      저항 이미터 (R2)
      Standard
      FET 유형
      N-Channel
      FET 특징
      표준
      드레인 근원 전압 (Vdss)
      30 V
      현재-드레인 (Id) @ 25 °C
      7.2A (Ta)
      Rds (Max) @ Id, Vgs
      4.5V, 10V
      Vgs (th) (최대) @ Id
      3V @ 250uA
      게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
      30 nC @ 10 V
      입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
      720 pF @ 15 V
      주파수
      Standard
      현재 등급 (암페어)
      7.2A (Ta)
      잡음
      Standard
      전원 출력
      3W (Ta)
      전압-정격
      30 V
      드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
      4.5V,10V
      Vgs (최대)
      ±20V
      IGBT 유형
      Standard
      구성
      단일
      Vce () (최대) @ Vge, Ic
      Standard
      입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
      Standard
      입력
      Standard
      NTC 서미스터
      Standard
      전압 고장 (V (BR) GSS)
      10V
      전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      7.2A (Ta)
      현재 하수구 (Id)-Max
      7.2A (Ta)
      전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
      10V
      저항 RDS (On)
      Standard
      전압
      10V
      전압-출력
      10V
      전압 오프셋 (Vt)
      10V
      전류 게이트 양극 누설 (Igao)
      7.2A (Ta)
      전류 밸리 (Iv)
      7.2A (Ta)
      전류-피크
      7.2A (Ta)
      응용프로그램
      General Purpose
      트랜지스터 유형
      MOSFETs
      Technology
      MOSFET (Metal Oxide)
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
      30 nC @ 10 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
      720 pF @ 15 V
      SVHC Exceeds Threshold
      Yes
      Number of Elements per Chip
      1
      Pin Count
      4
      Lead Shape
      Gull-wing
      RoHS Status
      ROHS3 Compliant
      Moisture Sensitivity Level (MSL)
      1 (Unlimited)
      Standard Package
      4000pcs/Reel

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      단일 품목
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