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새로운 오리지널 및 StockDSC5002S0L IGBT MOSFET 달링턴 바이폴라 트랜지스터
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주요 속성
핵심 산업 사양
모델 번호
DSC5002S0L
유형
단일 바이폴라 트랜지스터
유명 상표
Original brand from HZWL
포장 유형
표면 마운트
기타 속성
장착 유형
원산지
설명
원산지
원래 장소
Guangdong, China
패키지/케이스
원산지
유형
양극성 트랜지스터
작용 온도
원산지
시리즈
트랜지스터
D/ C
21 +
신청
MOSFET 드라이버
공급 유형
원래 제조 업체
상호 참조
표준
미디어 가능
데이터 시트
品名
2Sa1943 2SC5200
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
원산지
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
원산지
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
원산지
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
원산지
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
원산지
전원 최대
원산지
주파수-전환
원산지
작동 온도
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
마운트 유형
표면 마운트
저항 (R1)
원산지
저항 이미터 (R2)
원산지
FET 유형
원산지
FET 특징
실리콘 카바이드 (SiC)
드레인 근원 전압 (Vdss)
원산지
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
원산지
Rds (Max) @ Id, Vgs
원산지
Vgs (th) (최대) @ Id
원산지
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
원산지
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
원산지
주파수
원산지
현재 등급 (암페어)
원산지
잡음
원산지
전원 출력
원산지
전압-정격
원산지
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
원산지
Vgs (최대)
원산지
IGBT 유형
원산지
구성
단일
Vce () (최대) @ Vge, Ic
원산지
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
원산지
입력
원산지
NTC 서미스터
원산지
전압 고장 (V (BR) GSS)
원산지
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
원산지
현재 하수구 (Id)-Max
원산지
전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
원산지
저항 RDS (On)
원산지
전압
원산지
전압-출력
원산지
전압 오프셋 (Vt)
원산지
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
원산지
전류 밸리 (Iv)
원산지
전류-피크
15A
응용프로그램
전력 증폭기
트랜지스터 유형
IGBT 트랜지스터
아이템
원더풀칩 원스톱 소싱 전자 부품
보증
1 년
샘플
사용 가능
서비스
원 스톱 BOM 서비스
품질
100% 새로운 및 원본
리드타임
1- 7 일
지불 유형
T/T,L/C,MoneyGram, 페이팔, 웨스턴 유니온, 현금, 에스크로
포장 및 배송
포장 세부정보
상자
리드 타임
| 수량 (개) | 1 - 100000 | > 100000 |
| 예상 시간(일) | 17 | 협의 예정 |
커스터마이징
YP
최소 주문: 10000
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공급업체의 제품 설명
>= 10 개
US$0.80
수량
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