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PCB용 UDFN2020-6 집적 회로를 DMN3032LFDB-7 새로운 오리지널 트랜지스터

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주요 속성

핵심 산업 사양

모델 번호
DMN3032LFDB-7
유형
IGBT 트랜지스터
유명 상표
New Original Brand
포장 유형
표면 마운트

기타 속성

장착 유형
표면 마운트
설명
좋은 품질
원래 장소
Guangdong, China
패키지/케이스
UDFN2020-6
유형
트랜지스터
작용 온도
-
시리즈
-
D/ C
2023 +
신청
범용
공급 유형
기타
상호 참조
연락처
미디어 가능
연락처
品名
트랜지스터
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
-
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
-
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
-
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
-
전원 최대
-
주파수-전환
-
작동 온도
-
마운트 유형
표면 마운트
저항 (R1)
-
저항 이미터 (R2)
-
FET 유형
-
FET 특징
-
드레인 근원 전압 (Vdss)
-
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
-
Rds (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (최대) @ Id
-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
-
주파수
-
현재 등급 (암페어)
-
잡음
-
전원 출력
-
전압-정격
-
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
-
Vgs (최대)
-
IGBT 유형
-
구성
-
Vce () (최대) @ Vge, Ic
-
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
-
입력
-
NTC 서미스터
-
전압 고장 (V (BR) GSS)
-
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
현재 하수구 (Id)-Max
-
전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
-
저항 RDS (On)
-
전압
-
전압-출력
-
전압 오프셋 (Vt)
-
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
-
전류 밸리 (Iv)
-
전류-피크
-
응용프로그램
모두
트랜지스터 유형
MOSFET
제품 이름
트랜지스터
지불 기간
웨스턴 유니온, T/T, 페이팔
서비스
BOM 목록에 대한 원 스톱 서비스
보증
365 일
배송
DHL/페덱스/TNT/중국 포스트
데이터 시트
Liane (t)sinoskyelectronic.com
품질
100% 원래 100% 브랜드
리드 프리 상태
리드 프리 PB
포장
튜브/트레이/테이프/릴/가방/상자
공급자
심천 Sinosky 전자 유한 회사

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판매 단위:
단일 품목
단일 패키지 크기:
10X10X5 cm
단일 총 중량:
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100 - 999 개
CN¥0.7221
1000 - 9999 개
CN¥0.6499
>= 10000 개
CN¥0.5777

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