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      새로운 트랜지스터 FGH40N60SFD TO-247-3 (단일 IGBT) 전자 부품

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      Shenzhen Jealon Micro Technology Co., Ltd.1 yrCN

      주요 속성

      핵심 산업 사양

      모델 번호
      FGH40N60SFD
      유형
      MOSFET
      유명 상표
      New Original Brand
      포장 유형
      생각 구멍

      기타 속성

      장착 유형
      구멍을 통해
      설명
      좋은 품질
      원래 장소
      Guangdong, China
      패키지/케이스
      TO-247-3
      유형
      트랜지스터
      작용 온도
      -
      시리즈
      -
      D/ C
      2023 +
      신청
      범용
      공급 유형
      기타
      상호 참조
      연락처
      미디어 가능
      연락처
      品名
      트랜지스터
      전류 콜렉터 (Ic) (최대)
      -
      전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
      -
      Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
      -
      전류 콜렉터 컷오프 (최대)
      -
      DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
      -
      전원 최대
      -
      주파수-전환
      -
      작동 온도
      -
      마운트 유형
      구멍
      저항 (R1)
      -
      저항 이미터 (R2)
      -
      FET 유형
      -
      FET 특징
      -
      드레인 근원 전압 (Vdss)
      -
      현재-드레인 (Id) @ 25 °C
      -
      Rds (Max) @ Id, Vgs
      -
      Vgs (th) (최대) @ Id
      -
      게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
      -
      입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
      -
      주파수
      -
      현재 등급 (암페어)
      -
      잡음
      -
      전원 출력
      -
      전압-정격
      -
      드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
      -
      Vgs (최대)
      -
      IGBT 유형
      -
      구성
      -
      Vce () (최대) @ Vge, Ic
      -
      입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
      -
      입력
      -
      NTC 서미스터
      -
      전압 고장 (V (BR) GSS)
      -
      전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      -
      현재 하수구 (Id)-Max
      -
      전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
      -
      저항 RDS (On)
      -
      전압
      -
      전압-출력
      -
      전압 오프셋 (Vt)
      -
      전류 게이트 양극 누설 (Igao)
      -
      전류 밸리 (Iv)
      -
      전류-피크
      -
      응용프로그램
      모두
      트랜지스터 유형
      IGBT
      제품 이름
      MOSFET
      지불 기간
      웨스턴 유니온, T/T, 페이팔
      서비스
      BOM 목록에 대한 원 스톱 서비스
      보증
      365 일
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      공급자
      심천 Sinosky 전자 유한 회사

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