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원래 전자 Compones N 채널 2N7000 D-MOS 트랜지스터 재고 있음
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주요 속성
핵심 산업 사양
모델 번호
2N7000
유형
바이폴라 트랜지스터
유명 상표
Shenzhen Zehengfeng Technology Co., Ltd.
포장 유형
생각 구멍
기타 속성
설명
고속 스위칭
원래 장소
China
패키지/케이스
벌크
시리즈
2N7000
D/ C
280DC
공급 유형
기타
미디어 가능
데이터 시트
品名
D-MOS 트랜지스터
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
280mA
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
280mA
전원 최대
830mW
작동 온도
제로 55 ~ 150 아래
마운트 유형
구멍
FET 특징
실리콘 카바이드 (SiC)
드레인 근원 전압 (Vdss)
60V
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
1.3A
현재 등급 (암페어)
1.3A
전원 출력
830mW
전압-정격
60V
구성
단일
전압 고장 (V (BR) GSS)
280V
현재 하수구 (Id)-Max
1.3A
전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
-20 V, + 20 V
저항 RDS (On)
5 옴
전압
60V
전압-출력
60V
전압 오프셋 (Vt)
60V
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
60V
기술
Si
트랜지스터 극성
N-채널
채널 수
1 채널
지속적인 배수 현재:
350 mA
드레인-소스 저항
5 옴
게이트 소스 임계 전압
800 mV
채널 모드
향상
패키지/케이스
TO-92-3
리드 타임
| 수량 (개) | 1 - 10 | > 10 |
| 예상 시간(일) | 5 | 협의 예정 |
커스터마이징
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최소 주문: 500
Customized packaging
최소 주문: 500
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