P 수준/D 수준 4 인치 4H-SiC 기질 반 격리 SI 반도체 물자

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Shanghai Ganova Electronic Information Co., Ltd.2 yrs

CN

주요 속성

기타 속성

원래 장소

China

유명 상표

GaNova

모델 번호

JDCD03-002-001

유형

SiC 웨이퍼

Crystal form

4H

Diameter

100.0mm+0.0/-0.5mm

Surface orientation

{0001}±0.2°

Length of main reference edge

32.5 mm ± 2.0 mm

Length of secondary reference edge

18.0 mm ± 2.0 mm

포장 및 배송

포장 세부정보

carton

공급 능력

공급 능력

100000 개 per Month

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최소 주문 수량: 3 개

IDR 16,605,063 - IDR 18,446,350

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