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QZ HY1908 80V 90A N 채널 향상 모드 MOSFET TO-252 HY1908D
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Shenzhen QZ Industrial Co., Ltd.
복합 전문 공급업체
6 yrs
CN
주요 속성
핵심 산업 사양
모델 번호
HY1908D
유형
MOSFET
유명 상표
Original brand
포장 유형
표면 마운트
기타 속성
원래 장소
Original
패키지/케이스
TO-252
D/ C
최신 (무작위 때 배송)
品名
N 채널 향상 모드 MOSFET
작동 온도
-55 ℃-175 ℃
마운트 유형
표면 마운트
FET 유형
N 채널
드레인 근원 전압 (Vdss)
80V
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
90A
설명
N 채널 향상 모드 MOSFET
드레인 소스 전압 (Vdss)
80V
전원 (Pd)
64W
온 저항 (RDS (On) @ Vgs,Id)
9mΩ 45A, 10V
임계 전압 (Vgs(th)@ Id)
4V 250μA
유형
N 채널
지속적인 하수구 현재 (Id)
90A
MPQ
2500PCS/릴
리드 시간
1-3 일
포장 및 배송
판매 단위:
단일 품목
단일 패키지 크기:
23X14X4 cm
단일 총 중량:
0.003 kg
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리드 타임
수량 (개)
1 - 500
501 - 3000
> 3000
예상 시간(일)
4
5
협의 예정
커스터마이징
Customized packaging
최소 주문: 10000
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공급업체의 제품 설명
10 - 99 개
CN¥5.01
100 - 499 개
CN¥4.72
500 - 999 개
CN¥4.50
>= 1000 개
CN¥4.21
수량
-
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