SI1062X-T1-GE3 파워 MOSFET (금속 산화물) 20V Vds 8V Vgs SC89-3 220 mW트랜지스터 피트 단일 피트 이산 반도체 제품
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주요 속성
핵심 산업 사양
모델 번호
SI1062X-T1-GE3
유형
MOSFET
유명 상표
original
포장 유형
표면 마운트
기타 속성
장착 유형
표면 마운트
설명
MOSFET N-CH 20V SC89-3
원래 장소
original
패키지/케이스
SC-89 SOT-490
유형
N-채널
작용 온도
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
시리즈
SI1062X
D/ C
최신
신청
범용
공급 유형
소매
상호 참조
SI1062XT1GE3
미디어 가능
데이터 시트, 사진, EDA CAD 모델
品名
트랜지스터
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
원본과 동일
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
원래 표준
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
원본과 동일
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
원래 표준
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
원본과 동일
전원 최대
220mW (Ta)
주파수-전환
원본과 동일
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
마운트 유형
표면 마운트
저항 (R1)
원본과 동일
저항 이미터 (R2)
원래 표준
FET 유형
N-채널
FET 특징
원본과 동일
드레인 근원 전압 (Vdss)
20 V
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
530mA(Ta)
Rds (Max) @ Id, Vgs
420mOhm @ 500mA 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id
1V @ 250uA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
2.7 nC @ 8 V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
43 pF @ 10 V
주파수
원본과 동일
현재 등급 (암페어)
원래 표준
잡음
원본과 동일
전원 출력
220mW (Ta)
전압-정격
원본과 동일
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
1.5V,4.5V
Vgs (최대)
± 8V
IGBT 유형
원래 표준
구성
단일
Vce () (최대) @ Vge, Ic
원래 표준
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
원본과 동일
입력
원래 표준
NTC 서미스터
원본과 동일
전압 고장 (V (BR) GSS)
원래 표준
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
원본과 동일
현재 하수구 (Id)-Max
원래 표준
전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
원본과 동일
저항 RDS (On)
원래 표준
전압
원본과 동일
전압-출력
원래 표준
전압 오프셋 (Vt)
원본과 동일
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
원래 표준
전류 밸리 (Iv)
원본과 동일
전류-피크
원래 표준
응용프로그램
범용
트랜지스터 유형
N-채널
SPQ
3k/릴
기술
Si
전형적인 상승 시간 (ns)
14
전형적인 가을 시간 (ns)
11
전형적인 턴 오프 지연 시간 (ns)
16
전형적인 턴온 지연 시간 (ns)
2
단위 무게:
0.001058 oz
PCB 변경
3
핀 카운트
3
리드 모양
플랫
포장 및 배송
판매 단위:
단일 품목
단일 패키지 크기:
19X19X10 cm
단일 총 중량:
1.000 kg
리드 타임
| 수량 (개) | 1 - 3000 | > 3000 |
| 예상 시간(일) | 15 | 협의 예정 |
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