설명
Plastic-Encapsulate Transistors
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
500mV@500mA,50mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
40@150mA,2V
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
N/A
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
N/A
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
N/A
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
N/A
Maximum Operating Temperature
+150C
DC Collector/Base Gain hfe Min
40
DC Current Gain hFE Max
250