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TPWR8503NL L1Q 트랜지스터 N채널 MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP 표면 장착 SOT-23-3 TO-236 패시브 부품 공급업체

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주요 속성

핵심 산업 사양

모델 번호
TPWR8503NL L1Q
유형
MOSFET
유명 상표
Original brand
포장 유형
표면 마운트

기타 속성

장착 유형
표면 마운트
설명
MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
원래 장소
Original
패키지/케이스
8-DSOP 사전
유형
MOSFET
작용 온도
-55''150
시리즈
TPWR8503NL
D/ C
최신
신청
범용
공급 유형
소매
상호 참조
-
미디어 가능
데이터 시트, 사진
品名
N 채널 30 V 150A (Tc) 800mW
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
1.1A
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
30V
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
55 °C ~ 150 °C (TJ)
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
200mOhm @ 1.3A, 10V
전원 최대
500mW (Ta)
주파수-전환
원래 표준
작동 온도
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
마운트 유형
표면 마운트
저항 (R1)
원래 표준
저항 이미터 (R2)
0.85mOhm
FET 유형
N-채널
FET 특징
표준
드레인 근원 전압 (Vdss)
30 V
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
150A (Tc)
Rds (Max) @ Id, Vgs
0.85mOhm
Vgs (th) (최대) @ Id
2.3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
74 nC @ 10 V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
6900 pF
주파수
-
현재 등급 (암페어)
1.1A
잡음
오리지널
전원 출력
142 W
전압-정격
30 V
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
4.5V 10V
Vgs (최대)
20 V
IGBT 유형
원래 표준
구성
단일
Vce () (최대) @ Vge, Ic
4.5V 10V
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
6900 pF
입력
원본
NTC 서미스터
-
전압 고장 (V (BR) GSS)
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
150 A
현재 하수구 (Id)-Max
원래 표준 150 A
전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
1.3 V
저항 RDS (On)
1 mOhms
전압
30 V
전압-출력
15 V
전압 오프셋 (Vt)
15 V
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
50A
전류 밸리 (Iv)
-
전류-피크
150 A
응용프로그램
범용
트랜지스터 유형
MOSFET
MOQ
1 릴
PN
TPWR8503NL,L1Q
기술
N-채널
품질
100% 원래 100% 브랜드
Vgs (최대)
± 20V
드레인 소스 전압 (Vdss)
30 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.85mOhm @ 50A10V
전력 분산 (최대)
800mW (Ta), 142W (Tc)
보증
365 일
BOM 목록 서비스

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판매 단위:
단일 품목
단일 패키지 크기:
19X19X10 cm
단일 총 중량:
1.000 kg

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