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      트랜지스터 모펫 BSG0811NDATMA1 모펫 어레이 25V 19A, 41A 2.5W 표면 마운트 PG-TISON-8 트랜지스터

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      Yunfu Hongkong Electronics Co.,Ltd.2 yrsCN

      주요 속성

      핵심 산업 사양

      모델 번호
      BSG0811NDATMA1
      유형
      MOSFET
      유명 상표
      Original Brand
      포장 유형
      8-PowerTDFN

      기타 속성

      장착 유형
      표면 마운트
      설명
      MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A TISON8
      원래 장소
      Original
      패키지/케이스
      8-PowerTDFN
      유형
      N-채널
      작용 온도
      -55 °C ~ 150 °C (TJ)
      시리즈
      옵티모스
      D/ C
      최신
      신청
      범용
      공급 유형
      소매
      미디어 가능
      데이터 시트, 사진, EDA CAD 모델
      品名
      트랜지스터
      전류 콜렉터 (Ic) (최대)
      표준
      전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
      원본
      Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
      표준
      전류 콜렉터 컷오프 (최대)
      표준
      DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
      원본
      전원 최대
      2.5W
      주파수-전환
      원본
      작동 온도
      -55°C ~ 150°C (TJ)
      마운트 유형
      표면 마운트
      저항 (R1)
      원본
      저항 이미터 (R2)
      원본
      FET 유형
      MOSFET
      FET 특징
      원본
      드레인 근원 전압 (Vdss)
      25V
      현재-드레인 (Id) @ 25 °C
      19A, 41A
      Rds (Max) @ Id, Vgs
      3mOhm @ 20A 10V
      Vgs (th) (최대) @ Id
      2V @ 250uA
      게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
      8.4nC @ 4.5V
      입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
      1100pF @ 12V
      주파수
      원본
      현재 등급 (암페어)
      원본
      잡음
      표준
      전원 출력
      2.5W
      전압-정격
      원본
      드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
      원본
      Vgs (최대)
      2V @ 250uA
      IGBT 유형
      원본
      구성
      표준
      Vce () (최대) @ Vge, Ic
      표준
      입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
      원본
      입력
      원본
      NTC 서미스터
      원본
      전압 고장 (V (BR) GSS)
      원본
      전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      표준
      현재 하수구 (Id)-Max
      표준
      전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
      표준
      저항 RDS (On)
      원본
      전압
      원본
      전압-출력
      표준
      전압 오프셋 (Vt)
      표준
      전류 게이트 양극 누설 (Igao)
      원본
      전류 밸리 (Iv)
      표준
      전류-피크
      원본
      응용프로그램
      범용
      트랜지스터 유형
      2 N-채널 (듀얼) 비대칭
      부품 상태
      액티브
      기술
      MOSFET (금속 산화물)
      구성
      2 N-채널 (듀얼) 비대칭
      FET 특징
      논리 레벨 게이트, 4.5V 드라이브
      현재-연속 배수 (Id) @ 25 ° C
      19A, 41A
      Rds On (Max) @ Id, Vgs
      3mOhm @ 20A, 10V
      핀 카운트
      8
      표준 패키지
      5000pcs/릴
      수분 감도 수준 (MSL)
      1 (무제한)
      RoHS 상태
      ROHS3 준수

      포장 및 배송

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      단일 품목
      단일 패키지 크기:
      19X19X10 cm
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