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UMG5NTR 사전 치우침 바이폴라 트랜지스터 2 NPN 사전 치우침 50V 100mA 250MHz 150mW 표면 마운트

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주요 속성

핵심 산업 사양

모델 번호
UMG5NTR
유형
바이폴라 트랜지스터
유명 상표
Original Brand
포장 유형
5-TSSOP & SC-70-5 & SOT-353

기타 속성

장착 유형
표면 마운트
설명
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
원래 장소
Original
패키지/케이스
5-TSSOP & SC-70-5 & SOT-353
유형
2 NPN-사전 편향된 (듀얼)
작용 온도
원래 표준
시리즈
원본
D/ C
최신
신청
범용
공급 유형
소매
상호 참조
UMG5NCT
미디어 가능
데이터 시트, 사진, EDA CAD 모델
品名
양극성 트랜지스터
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
100mA
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
50V
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
원본
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
500nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
68 @ 5mA,5V
전원 최대
150mW
주파수-전환
원본
작동 온도
원본
마운트 유형
표면 마운트
저항 (R1)
10kOhm
저항 이미터 (R2)
47kOhm
FET 유형
원본
FET 특징
표준
드레인 근원 전압 (Vdss)
원본
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
원본
Rds (Max) @ Id, Vgs
원본
Vgs (th) (최대) @ Id
원본
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
원본
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
원본
주파수
250MHz
현재 등급 (암페어)
원본
잡음
원본
전원 출력
150mW
전압-정격
표준
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
원본
Vgs (최대)
원본
IGBT 유형
원본
구성
원본
Vce () (최대) @ Vge, Ic
원본
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
원본
입력
원본
NTC 서미스터
원본
전압 고장 (V (BR) GSS)
원본
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
원본
현재 하수구 (Id)-Max
원본
전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
원본
저항 RDS (On)
원본
전압
원본
전압-출력
원본
전압 오프셋 (Vt)
원본
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
원본
전류 밸리 (Iv)
원본
전류-피크
원본
응용프로그램
범용
트랜지스터 유형
2 NPN-사전 편향된 (듀얼)
부품 상태
액티브
공급 업체 장치 패키지
UMT5
기본 제품 번호
UMG5
RoHS 상태
ROHS3 준수
수분 감도 수준 (MSL)
1 (무제한)
장착 스타일
SMD/SMT
구성
듀얼 공통 방출기
DC 수집가/기본 이득 hfe Min
68
수집가-방출기 전압 VCEO Max
50 V
표준 패키지
3000pcs/릴

포장 및 배송

판매 단위:
단일 품목
단일 패키지 크기:
19X19X10 cm
단일 총 중량:
1.000 kg

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예상 시간(일)15협의 예정
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