STFW3N150 파워 필드 효과 트랜지스터 N 채널 1500 V 9 O PowerMESH Power MosFet - TO-3PF 집적 회로 STFW3N150
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주요 속성
핵심 산업 사양
모델 번호
STFW3N150
유형
MOSFET
유명 상표
E-TAG
포장 유형
생각 구멍
기타 속성
원래 장소
Guangdong, China
패키지/케이스
ISOWATT218FX
D/ C
New
신청
Power Management, Consumer Electronics
공급 유형
원래 제조 업체, 기관
미디어 가능
데이터 시트, 사진, EDA CAD 모델
品名
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3PF
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
25A
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
100V
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
4V @ 5A, 25A
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
10 @ 15A, 4V
전원 최대
125W
주파수-전환
3MHz
작동 온도
150°C (TJ)
마운트 유형
구멍
FET 유형
N-Channel
드레인 근원 전압 (Vdss)
1500V
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
2.5A (Tc)
Rds (Max) @ Id, Vgs
9Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id
5V @ 250uA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
29.3nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
939pF @ 25V
전원 출력
63 W
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
10V
Vgs (최대)
±30V
응용프로그램
Power Management, Consumer Electronics
포장 및 배송
포장 세부정보
STFW3N150 Power Field-Effect Transistors N-Channel 1500 V 9 O PowerMESH Power MosFet - TO-3PF integrated circuits STFW3N150
공급 능력
공급 능력
1000 개 per Day
리드 타임
| 수량 (개) | 1 - 1000 | > 1000 |
| 예상 시간(일) | 3 | 협의 예정 |
커스터마이징
Customized packaging
최소 주문: 1000000
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