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Mj15003 K135 D13007k F3nk80z D1651 트랜지스터 Tf321s B331 B331 B331
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주요 속성
핵심 산업 사양
모델 번호
B331
유형
Field-Effect Transistor
유명 상표
NA
포장 유형
표면 마운트
기타 속성
원래 장소
Guangdong, China
패키지/케이스
TO-220
D/ C
New
신청
MOSFET
공급 유형
기관, 소매
미디어 가능
데이터 시트, 사진
品名
STM8S005C6T6
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
5A
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
100V
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
4V @ 20mA, 5A
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
1000 @ 3A, 3V
전원 최대
2W
주파수-전환
1
작동 온도
150°C (TJ)
마운트 유형
구멍
저항 (R1)
1
저항 이미터 (R2)
1
FET 유형
N-Channel, N-Channel
FET 특징
표준
드레인 근원 전압 (Vdss)
55V
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
110A (Tc)
Rds (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 62A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id
4V 250uA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
146nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
3247pF @ 25V
주파수
1
현재 등급 (암페어)
1
잡음
1
전원 출력
1
전압-정격
10
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
10V
Vgs (최대)
±20V
IGBT 유형
1
구성
적용
Vce () (최대) @ Vge, Ic
1
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
1
입력
1
NTC 서미스터
417℃/W
전압 고장 (V (BR) GSS)
20
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
1
현재 하수구 (Id)-Max
1
전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
1
저항 RDS (On)
1
전압
10
전압-출력
10
전압 오프셋 (Vt)
1
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
1
전류 밸리 (Iv)
1
전류-피크
1
응용프로그램
household appliances
포장 및 배송
포장 세부정보
원래 포장
항구
HK/SZ
공급 능력
공급 능력
20000 개 per Week
리드 타임
| 수량 (개) | 1 - 1000 | 1001 - 3000 | > 3000 |
| 예상 시간(일) | 3 | 5 | 협의 예정 |
커스터마이징
New
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