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P-등급 1 인치 질화 알루미늄 단결정 독립형 AlN 웨이퍼 반도체

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주요 속성

기타 속성

원래 장소
China
유명 상표
GaNova
모델 번호
JDCD02-001-002
유형
AIN
Crystal Specifications
Parameter value
Diameter(mm)
25.4±0.5
Thickness(μm)
400±50
Crystal Form
2H
Polytype
{0001}±0.5°
Roughness
Al face:≤0.5nm N face(back):≤1.2μm
appearance
Circular belt positioning edge
Package
Monolithic wafer box

포장 및 배송

포장 세부정보
carton
항구
Shanghai

공급 능력

공급 능력
100000 개 per Month

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1 - 14 개
€5,044.77
>= 15 개
€4,978.95

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