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새로운 오리지널 브랜드 FQB30N06LTM FQB30N06 MOSFET 60V 32A 집적 회로 IC FQB30N06LTM
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주요 속성
핵심 산업 사양
모델 번호
FQB30N06LTM
유형
MOSFET
포장 유형
표면 마운트
기타 속성
설명
-
원래 장소
Original
패키지/케이스
TO-263-3
D/ C
new
신청
-
공급 유형
Other
미디어 가능
Other
品名
MOSFET
작동 온도
-55°C ~ 175°C(TJ)
마운트 유형
표면 마운트
FET 유형
N channel
드레인 근원 전압 (Vdss)
60 V
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
32A(Tc)
Rds (Max) @ Id, Vgs
35mΩ@ 16A,10V
Vgs (th) (최대) @ Id
2.5V @ 250 μA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
20 nC @ 5 V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1040 pF @ 25 V
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
5V,10V
Vgs (최대)
±20V
포장 및 배송
항구
CHINA
리드 타임
| 수량 (개) | 1 - 10 | > 10 |
| 예상 시간(일) | 15 | 협의 예정 |
커스터마이징
Customized logo
최소 주문: 5000
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