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500MA SS8050 SS8550 Y1 Y2 J3Y NPN 파워 트랜지스터 S8050 S8050
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주요 속성
핵심 산업 사양
모델 번호
S8050
유형
MOSFET
유명 상표
Original
포장 유형
SMD/인라인
기타 속성
장착 유형
구멍을 통해
설명
새 원본
원래 장소
Guangdong, China
패키지/케이스
SOT-23
유형
NPN - triode
작용 온도
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
D/ C
22 +
신청
힘
공급 유형
-
미디어 가능
데이터 시트, 사진
品名
BC547B
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
25A
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
1200V
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
4V @ 3.2A, 16A
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
110 @ 2mA, 5V
전원 최대
625mW
주파수-전환
300MHz
작동 온도
-
마운트 유형
구멍
저항 (R1)
-
저항 이미터 (R2)
-
FET 유형
N-채널
FET 특징
표준
드레인 근원 전압 (Vdss)
-
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
-
Rds (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (최대) @ Id
4V 250
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
-
주파수
-
현재 등급 (암페어)
-
잡음
-
전원 출력
2W
전압-정격
25-45v
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
-
Vgs (최대)
-
IGBT 유형
NPN
구성
단일
Vce () (최대) @ Vge, Ic
2.3V @ 15V, 60A
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
VDS = 8V, VGS = 0V f = 1.0MHz
입력
표준
NTC 서미스터
-
전압 고장 (V (BR) GSS)
-
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
현재 하수구 (Id)-Max
-
전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
-
저항 RDS (On)
-
전압
60V
전압-출력
-0.5 ~ 30V
전압 오프셋 (Vt)
-
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
-
전류 밸리 (Iv)
-
전류-피크
-
응용프로그램
27MHz RF 전력 Amp 신청
지불
페이팔 \ TT \ 웨스턴 유니온 \ 무역 보증
에 의해 배송
DHL \ UPS \ 페덱스 \ EMS \ HK 포스트
리드타임
1-3 일
보증
180 일
단위 가격
최신 단위
포장 및 배송
포장 세부정보
상자
항구
HK/SZ
공급 능력
공급 능력
100000 개 per Month
리드 타임
| 수량 (개) | 1 - 1000 | 1001 - 10000 | > 10000 |
| 예상 시간(일) | 3 | 7 | 협의 예정 |
커스터마이징
Customized packaging
최소 주문: 10000
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공급업체의 제품 설명
10 - 99 개
€0.5642
100 - 999 개
€0.4702
>= 1000 개
€0.2821
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