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      BSS84 smd 트랜지스터 P-채널 50 V 130mA (Ta) 225mW (Ta) 표면 마운트 다이 MOSFET 소형 신호 전력 MOSFET

      아직 리뷰가 없습니다
      Yunfu Hongkong Electronics Co.,Ltd.2 yrsCN

      주요 속성

      핵심 산업 사양

      모델 번호
      BSS84
      유형
      MOSFET
      유명 상표
      Original Brand
      포장 유형
      다이

      기타 속성

      장착 유형
      표면 마운트
      설명
      MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
      원래 장소
      Original
      패키지/케이스
      다이
      유형
      P-채널
      작용 온도
      150 °C (TJ)
      시리즈
      오리지널
      D/ C
      최신
      신청
      범용
      공급 유형
      소매
      상호 참조
      BSS84TR-NDR
      미디어 가능
      데이터 시트, 사진, EDA CAD 모델
      品名
      트랜지스터
      전류 콜렉터 (Ic) (최대)
      표준
      전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
      50V
      Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
      원본
      전류 콜렉터 컷오프 (최대)
      130mA (Ta)
      DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
      표준
      전원 최대
      225mW (Ta)
      주파수-전환
      표준
      작동 온도
      150°C (TJ)
      마운트 유형
      표면 마운트
      저항 (R1)
      원본
      저항 이미터 (R2)
      원본
      FET 유형
      P-채널
      FET 특징
      표준
      드레인 근원 전압 (Vdss)
      50V
      현재-드레인 (Id) @ 25 °C
      130mA (Ta)
      Rds (Max) @ Id, Vgs
      4.5V,10V
      Vgs (th) (최대) @ Id
      2.5V @ 250uA
      게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
      1.3 nC @ 5 V
      입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
      73 pF @ 25 V
      주파수
      표준
      현재 등급 (암페어)
      130mA (Ta)
      잡음
      원본
      전원 출력
      225mW (Ta)
      전압-정격
      50V
      드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
      4.5V,10V
      Vgs (최대)
      ± 20V
      IGBT 유형
      원본
      구성
      단일
      Vce () (최대) @ Vge, Ic
      원본
      입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
      표준
      입력
      원본
      NTC 서미스터
      원본
      전압 고장 (V (BR) GSS)
      50V
      전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      130mA (Ta)
      현재 하수구 (Id)-Max
      130mA (Ta)
      전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
      50V
      저항 RDS (On)
      원본
      전압
      50V
      전압-출력
      50V
      전압 오프셋 (Vt)
      50V
      전류 게이트 양극 누설 (Igao)
      130mA (Ta)
      전류 밸리 (Iv)
      130mA (Ta)
      전류-피크
      130mA (Ta)
      응용프로그램
      범용
      트랜지스터 유형
      P-채널
      Rds On (Max) @ Id, Vgs
      8Ohm @ 150mA, 10V
      기술
      MOSFET (금속 산화물)
      입력 용량 (Ciss) (Max) @ Vds
      73 pF @ 25 V
      채널 모드
      향상
      칩 당 요소 수
      1
      핀 카운트
      3
      리드 모양
      갈매기 날개
      RoHS 상태
      ROHS3 준수
      수분 감도 수준 (MSL)
      1 (무제한)
      표준 패키지
      3000pcs/릴

      포장 및 배송

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      단일 품목
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      19X19X10 cm
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