고속 마이크로 전자 장치 저전압/저전력 장치용 6 인치 SOI 웨이퍼
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주요 속성
기타 속성
원래 장소
Shanghai, China
유명 상표
Xinkehui
모델 번호
xkh
유형
SOI 웨이퍼
Model Number
Silicon wafer
Type
SIO Wafer
Method
Fusion bonding
Device Thickness
2-300 um
Tolerance
+/-0.5 um-2 um
Orientation
100/111/110 or others
Conductivity
P-type / N-type / Intrinsic
Resistivity
0.001-100000 ohm-cm
Dopant
Boron / Phosphorous / Antimony / Arsenic
Oxide Thickness
500A-4 um
포장 및 배송
포장 세부정보
100 학년 청소 가방
판매 단위:
단일 품목
단일 패키지 크기:
120X100X80 cm
단일 총 중량:
1.000 kg
리드 타임
| 수량 (개) | 1 - 1000 | > 1000 |
| 예상 시간(일) | 15 | 협의 예정 |
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