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MMBT3904LT1G Mmbt3904 NPN 40V 200Ma 0.2A W04 1 오전 3904 Smd 트랜지스터
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주요 속성
핵심 산업 사양
모델 번호
MMBT3904LT1G
유형
IGBT 트랜지스터
유명 상표
original
포장 유형
표면 마운트
기타 속성
장착 유형
Surface Mount
설명
/
원래 장소
Guangdong, China
패키지/케이스
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
유형
Bipolar Junction Transistor
작용 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
시리즈
-
D/ C
,
신청
na
공급 유형
Other
상호 참조
-
미디어 가능
Other
品名
TRANS NPN 40V 0.2A SOT23
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
200mA
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
40V
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 5mA, 50mA
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
50uA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
100 @ 10mA, 1V
전원 최대
300mW
주파수-전환
300MHz
마운트 유형
Surface Mount/Through Hole
저항 (R1)
/
저항 이미터 (R2)
/
FET 유형
N-Channel
FET 특징
/
드레인 근원 전압 (Vdss)
50V
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
200mA (Ta)
Rds (Max) @ Id, Vgs
3.5Ohm @ 200mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id
1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
50pF @ 25V
주파수
/
현재 등급 (암페어)
/
잡음
/
전원 출력
/
전압-정격
/
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
5V
Vgs (최대)
±20V
IGBT 유형
/
구성
/
Vce () (최대) @ Vge, Ic
/
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
/
입력
/
NTC 서미스터
/
전압 고장 (V (BR) GSS)
/
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
/
현재 하수구 (Id)-Max
/
전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
/
저항 RDS (On)
/
전압
/
전압-출력
/
전압 오프셋 (Vt)
/
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
//
전류 밸리 (Iv)
/
전류-피크
/
응용프로그램
/
트랜지스터 유형
mrf150 rf power transistor
Type
Field-Effect Transistor
포장 및 배송
포장 세부정보
정전기 방지 포장
판매 단위:
단일 품목
단일 패키지 크기:
10X10X5 cm
단일 총 중량:
0.500 kg
리드 타임
| 수량 (개) | 1 - 1000 | 1001 - 10000 | > 10000 |
| 예상 시간(일) | 150 | 180 | 협의 예정 |
커스터마이징
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최소 주문: 10000
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