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2SC5200 2SA1943 A1943 C5200 MOSFET TO-3P 재고 쌍 트랜지스터
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주요 속성
핵심 산업 사양
모델 번호
2SC5200 2SA1943
유형
MOSFET
유명 상표
Original Brand
포장 유형
DIP
기타 속성
장착 유형
구멍을 통해
설명
2SC5200 2SA1943
원래 장소
Original
패키지/케이스
TO-3P
유형
2SC5200 2SA1943
작용 온도
-55 °C ~ 150 °C
시리즈
-
D/ C
23 +
신청
범용
공급 유형
원래 제조 업체
상호 참조
접촉 미국
미디어 가능
데이터 시트
品名
트랜지스터
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
10A
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
150W
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
-
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
-
전원 최대
-
주파수-전환
-
작동 온도
-55 °C ~ 150 °C(TJ)
마운트 유형
구멍
저항 (R1)
-
저항 이미터 (R2)
-
FET 유형
-
FET 특징
표준
드레인 근원 전압 (Vdss)
-
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
-
Rds (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (최대) @ Id
-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
-
주파수
-
현재 등급 (암페어)
-
잡음
-
전원 출력
-
전압-정격
-
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
-
Vgs (최대)
-
IGBT 유형
--
구성
T 형
Vce () (최대) @ Vge, Ic
-
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
-
입력
-
NTC 서미스터
-
전압 고장 (V (BR) GSS)
-
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
현재 하수구 (Id)-Max
-
전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
-
저항 RDS (On)
-
전압
-
전압-출력
-
전압 오프셋 (Vt)
-
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
-
전류 밸리 (Iv)
-
전류-피크
-
응용프로그램
-
트랜지스터 유형
MOSFET
부품 번호
2SC5200 2SA1943
패키지
TO-3P
리드 타임
1 일
조건
100% 새로운 & 본래
에 의해 배송
DHL \ UPS \ 페덱스 \ EMS \ HK 포스트
지불
T/T, 웨스턴 유니온, 머니 그램, 비자
상태
사용 가능한 재고
보증
1 년
데이터 시트
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날짜 코드
최신
포장 및 배송
포장 세부정보
표준 원래 포장.
항구
ShenZhen/HongKong
공급 능력
공급 능력
500000 개 per Day
리드 타임
| 수량 (개) | 1 - 20000 | > 20000 |
| 예상 시간(일) | 2 | 협의 예정 |
커스터마이징
Customized packaging
최소 주문: 1000
Graphic customization
최소 주문: 1000
Customized logo
최소 주문: 1000
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