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지킹 N-CH 60V 0.34A SOT-23-3L 마킹 702 MOSFET 2N7002

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Shenzhen Jeking Electronic Corp.복합 전문 공급업체9 yrsCN

주요 속성

핵심 산업 사양

모델 번호
2N7002
유형
IGBT 트랜지스터
유명 상표
ORIGINAL BRAND
포장 유형
표면 마운트

기타 속성

장착 유형
SMD/SMT
설명
TRANSISTORS
원래 장소
California, United States
패키지/케이스
STANDARD
D/ C
-
신청
-
品名
2N7002
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
-
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
-
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
-
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
-
전원 최대
-
주파수-전환
-
작동 온도
-
마운트 유형
-
저항 (R1)
-
저항 이미터 (R2)
-
FET 유형
-
FET 특징
-
드레인 근원 전압 (Vdss)
-
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
-
Rds (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (최대) @ Id
-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
-
주파수
-
현재 등급 (암페어)
-
잡음
-
전원 출력
-
전압-정격
-
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
-
Vgs (최대)
-
IGBT 유형
-
구성
-
Vce () (최대) @ Vge, Ic
-
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
-
입력
-
NTC 서미스터
-
전압 고장 (V (BR) GSS)
-
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
현재 하수구 (Id)-Max
-
전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
-
저항 RDS (On)
-
전압
-
전압-출력
-
전압 오프셋 (Vt)
-
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
-
전류 밸리 (Iv)
-
전류-피크
-
응용프로그램
-
Part Number
2N7002
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
340mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 300mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250uA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
1.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
27.5 pF @ 30 V

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포장 세부정보
ESD/진공/거품/판지
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단일 품목
단일 패키지 크기:
11X12X9 cm
단일 총 중량:
0.500 kg

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