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지킹 모스핏 N-CH 600V 9.5A TO220F FQPF10N60C 10N60C
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주요 속성
핵심 산업 사양
모델 번호
FQPF10N60C
유형
MOSFET
유명 상표
ORIGINAL BRAND
포장 유형
생각 구멍
기타 속성
장착 유형
SMD/SMT
설명
표준
원래 장소
California, United States
패키지/케이스
표준
D/ C
-
신청
-
공급 유형
원래 제조 업체, ODM, 기관, 소매
상호 참조
-
미디어 가능
데이터 시트, 사진
品名
MOSFET N-CH 600V 9.5A TO-220F
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
-
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
-
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
-
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
-
전원 최대
2W
주파수-전환
-
작동 온도
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
마운트 유형
구멍
저항 (R1)
-
저항 이미터 (R2)
-
FET 유형
N-채널
FET 특징
로직 레벨 게이트
드레인 근원 전압 (Vdss)
600V
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
9.5A (Tc)
Rds (Max) @ Id, Vgs
730mOhm @ 4.75A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id
4V @ 250uA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
57nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2040pF @ 25V
주파수
-
현재 등급 (암페어)
-
잡음
-
전원 출력
-
전압-정격
-
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
10V
Vgs (최대)
±30V
IGBT 유형
-
구성
-
Vce () (최대) @ Vge, Ic
-
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
-
입력
-
NTC 서미스터
-
전압 고장 (V (BR) GSS)
-
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
현재 하수구 (Id)-Max
-
전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
-
저항 RDS (On)
-
전압
-
전압-출력
-
전압 오프셋 (Vt)
-
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
-
전류 밸리 (Iv)
-
전류-피크
-
응용프로그램
-
모델 번호
FQPF10N60C
현재-연속 배수 (Id) @ 25 ° C
9.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds 켜기, 최소 Rds 켜기)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
730mOhm @ 4.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250uA
Vgs (최대)
± 30V
전력 분산 (최대)
50W (Tc)
드레인 소스 전압 (Vdss)
600 V
게이트 충전 (Qg) (Max) @ Vgs
57 nC @ 10 V
기본 제품 번호
FQPF10
포장 및 배송
포장 세부정보
ESD/진공/거품/판지
공급 능력
공급 능력
10000 개 per Week
리드 타임
| 수량 (개) | 1 - 1000 | > 1000 |
| 예상 시간(일) | 5 | 협의 예정 |
커스터마이징
Customized packaging
최소 주문: 99999
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공급업체의 제품 설명
100 - 499 개
US$1.90
500 - 999 개
US$1.70
>= 1000 개
US$1.60
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