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      야룬 모스핏 N-CH 600V 9.5A TO220/220F YR10N60 FQPF10N60C 10N60C 파워 트랜지스터

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      Wuxi Yarun Semiconductor Technology Co., Ltd.7 yrsCN
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      주요 속성

      핵심 산업 사양

      모델 번호
      YR10N60 mosfet
      유형
      MOSFET
      유명 상표
      YR
      포장 유형
      표면 마운트

      기타 속성

      장착 유형
      널
      설명
      모스펫
      원래 장소
      Jiangsu, China
      패키지/케이스
      To220, To247
      유형
      N 채널
      D/ C
      널
      신청
      전원 스위치 회로
      공급 유형
      원래 제조 업체, ODM, 기관, 소매, 기타, Other
      상호 참조
      FQPF10N60C, 10N60C
      미디어 가능
      데이터 시트, 사진, EDA CAD 모델, 기타
      品名
      모스펫
      전류 콜렉터 (Ic) (최대)
      100A
      전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
      600V
      Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
      널
      전류 콜렉터 컷오프 (최대)
      100A
      DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
      널
      전원 최대
      6W
      주파수-전환
      널
      작동 온도
      -150 ℃에 55
      마운트 유형
      구멍
      저항 (R1)
      널
      저항 이미터 (R2)
      널
      FET 유형
      널
      FET 특징
      실리콘 카바이드 (SiC)
      드레인 근원 전압 (Vdss)
      널
      현재-드레인 (Id) @ 25 °C
      널
      Rds (Max) @ Id, Vgs
      널
      Vgs (th) (최대) @ Id
      널
      게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
      널
      입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
      널
      주파수
      널
      현재 등급 (암페어)
      널
      잡음
      널
      전원 출력
      널
      전압-정격
      널
      드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
      널
      Vgs (최대)
      널
      IGBT 유형
      널
      구성
      단일
      Vce () (최대) @ Vge, Ic
      널
      입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
      널
      입력
      널
      NTC 서미스터
      널
      전압 고장 (V (BR) GSS)
      널
      전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      널
      현재 하수구 (Id)-Max
      널
      전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
      널
      저항 RDS (On)
      널
      전압
      널
      전압-출력
      널
      전압 오프셋 (Vt)
      널
      전류 게이트 양극 누설 (Igao)
      널
      전류 밸리 (Iv)
      널
      전류-피크
      2A
      응용프로그램
      널
      케이스에 정션 (DC)
      1.3 ℃/W
      Rth(j-a)
      60 ℃/W
      피크 게이트 전압
      5V
      VDRM/VRRM
      600V
      IT(AV)
      1A
      IT(RMS)
      12A
      ITSM
      100-110A
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