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650V 12A N-채널 전원 MOSFET 트랜지스터, 낮은 온스테이트 저항으로 신에너지 및 그린 조명 필드

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주요 속성

핵심 산업 사양

모델 번호
AKF12N65P
유형
MOSFET
유명 상표
AIKO
포장 유형
TO-220F

기타 속성

장착 유형
through holes
설명
Low Intrinsic Capacitances, Excellent Switching Characteristics, Extended Safe Operating Area, Unrivalled Gate Charge, 100% Avalanche Tested
원래 장소
Zhejiang, China
패키지/케이스
TO-220F
유형
MOSFET transistor
작용 온도
-55℃~+150℃
시리즈
MOSFET
신청
high efficient DC to DC converters
공급 유형
원래 제조 업체, ODM
미디어 가능
데이터 시트, 사진
品名
AKF12N65P 650V 12A N-Channel Power MOSFET
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
12A(TC=25℃), 7.9A(TC=100℃)
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
650V
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
30V
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
12A
전원 최대
44W
작동 온도
-55°C ~ 150°C
마운트 유형
구멍
드레인 근원 전압 (Vdss)
650V
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
12A
Rds (Max) @ Id, Vgs
0.68 Ohm
Vgs (th) (최대) @ Id
4V
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
47nC
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1890pF @ 25V
현재 등급 (암페어)
12A
전압-정격
650V
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
2.0V
Vgs (최대)
4.0V
구성
단일
Vce () (최대) @ Vge, Ic
10V
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
1890pF
전압 고장 (V (BR) GSS)
650V
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
10-100uA
현재 하수구 (Id)-Max
12A
전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
30V
저항 RDS (On)
0.68 Ohm(Max.)
전압-출력
650V
전압 오프셋 (Vt)
±30V
전류 밸리 (Iv)
7.9A
전류-피크
12A
응용프로그램
fast switching
트랜지스터 유형
MOSFET transistor, N-Channel, Enhancement Mode
VDSS
650V
VGSS
±30V
Drain Current(TC=25℃)
12A
Drain Current(TC=100℃)
7.9A
Single Pulse Avalanche Energy
660mJ
Maximum Power Dissipation(TC=25℃)
44W
Gate-body leakage Current, Forward
100nA
Gate Threshold Voltage
2-4V
Application 1
UPS Applications
Application 2
DC-DC Converters and AC-DC Power Supply

리드 타임

수량 (개)1 - 5000050001 - 100000000 > 100000000
예상 시간(일)2030협의 예정

커스터마이징

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50000 - 99999999 개
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€0.0464

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