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AO3416 20V 6A 중국 브랜드 SOT-23 MOSFET 다이오드 3 극관 트랜지스터 MOS
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주요 속성
핵심 산업 사양
모델 번호
AO3416
유형
MOSFET
유명 상표
Boruiwei
포장 유형
표면 마운트
기타 속성
장착 유형
SMD
설명
표준
원래 장소
Guangdong, China
패키지/케이스
1
유형
MOSFET
작용 온도
표준
시리즈
MOS
D/ C
새로운
신청
마이크로폰
공급 유형
원래 제조 업체, 기관, 소매, 기타
미디어 가능
데이터 시트, 사진, EDA CAD 모델, 기타
品名
MOS
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
1
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
1
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
1
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
1
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
1
전원 최대
1
주파수-전환
1
저항 (R1)
1
저항 이미터 (R2)
1
FET 유형
1
FET 특징
실리콘 카바이드 (SiC)
드레인 근원 전압 (Vdss)
1
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
1
Rds (Max) @ Id, Vgs
1
Vgs (th) (최대) @ Id
1
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
1
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1
주파수
1
현재 등급 (암페어)
1
잡음
1
전원 출력
1
전압-정격
1
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
1
Vgs (최대)
1
IGBT 유형
1
구성
단일
Vce () (최대) @ Vge, Ic
1
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
1
입력
1
NTC 서미스터
1
전압 고장 (V (BR) GSS)
1
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
1
현재 하수구 (Id)-Max
1
전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
1
저항 RDS (On)
1
전압
1
전압-출력
1
전압 오프셋 (Vt)
1
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
1
전류 밸리 (Iv)
1
전류-피크
1
응용프로그램
1
포장 및 배송
판매 단위:
단일 품목
단일 패키지 크기:
0.01X0.01X0.01 cm
단일 총 중량:
0.030 kg
리드 타임
| 수량 (개) | 1 - 10000 | > 10000 |
| 예상 시간(일) | 9 | 협의 예정 |
커스터마이징
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Customized packaging
최소 주문: 1000000
Graphic customization
최소 주문: 1000000
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