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QXW 트랜지스터 2N 채널 모스핏 20V 3A SOT-23-6 MOS IC 칩 FDC6401 FDC6401N
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주요 속성
핵심 산업 사양
모델 번호
FDC6401N
유형
MOSFET
유명 상표
origin
포장 유형
표면 마운트
기타 속성
장착 유형
표면 마운트
설명
MOSFET
원래 장소
origin
패키지/케이스
SOT-23-6
D/ C
최신
신청
범용
공급 유형
원래 제조 업체
미디어 가능
데이터 시트
品名
MOSFET
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
-
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
-
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
-
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
-
전원 최대
-
주파수-전환
-
작동 온도
-55 ~ + 150 ℃
마운트 유형
표면 마운트
저항 (R1)
-
저항 이미터 (R2)
-
FET 유형
MOSFET N 채널
FET 특징
표준
드레인 근원 전압 (Vdss)
20V
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
3A
Rds (Max) @ Id, Vgs
70mΩ @ 4.5V,3A
Vgs (th) (최대) @ Id
1.5V @ 250μA
리드 타임
| 수량 (개) | 1 - 30000 | 30001 - 300000 | > 300000 |
| 예상 시간(일) | 5 | 7 | 협의 예정 |
커스터마이징
Customized logo
최소 주문: 100000
Customized packaging
최소 주문: 100000
Graphic customization
최소 주문: 100000
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공급업체의 제품 설명
1 - 99 개
₩422
100 - 999 개
₩352
>= 1000 개
₩281
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