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2N65 TO252 N 채널 650V 2A 힘 MOSFET smd 트랜지스터 hualichip 직접 회로 ic 차가운 mos 2N65
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주요 속성
핵심 산업 사양
모델 번호
2N65
유형
MOSFET 트랜지스터
유명 상표
HLX
포장 유형
표면 마운트
기타 속성
원래 장소
Taiwan, China
패키지/케이스
TO252
D/ C
21 +
신청
PCB
공급 유형
원래 제조 업체, 기관
상호 참조
HLX2N65
미디어 가능
데이터 시트
品名
MOSFET
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
표준
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
표준
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
표준
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
표준
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
표준
전원 최대
표준
주파수-전환
표준
작동 온도
-55 °C ~ 150 °C
마운트 유형
표면 마운트
저항 (R1)
표준
저항 이미터 (R2)
표준
FET 유형
N 채널
FET 특징
표준
드레인 근원 전압 (Vdss)
650V
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
2A
Rds (Max) @ Id, Vgs
3.8Ω @ 10V
Vgs (th) (최대) @ Id
표준
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
표준
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
표준
주파수
표준
현재 등급 (암페어)
표준
잡음
표준
전원 출력
표준
전압-정격
표준
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
표준
Vgs (최대)
표준
IGBT 유형
표준
구성
단일
Vce () (최대) @ Vge, Ic
표준
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
표준
입력
표준
NTC 서미스터
표준
전압 고장 (V (BR) GSS)
표준
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
표준
현재 하수구 (Id)-Max
표준
전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
표준
저항 RDS (On)
표준
전압
표준
전압-출력
표준
전압 오프셋 (Vt)
표준
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
표준
전류 밸리 (Iv)
표준
전류-피크
표준
응용프로그램
표준
부품 번호
2N65 TO252
포장
Tape & Reel (TR)
설명
TO252 Mosfet
속성
RoHS
창고
재고 있음
DC
새로운 원본
범주
MOSFET
포장 및 배송
포장 세부정보
Vacuum packaging, foam packaging, anti-static packaging
항구
shenzhen
판매 단위:
단일 품목
단일 패키지 크기:
40X40X6 cm
단일 총 중량:
0.384 kg
리드 타임
| 수량 (개) | 1 - 5 | > 5 |
| 예상 시간(일) | 5 | 협의 예정 |
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샘플 가격:
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5 - 9 개
THB 5.60
10 - 2499 개
THB 5.23
>= 2500 개
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