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2N7002 MMBT7002 2K 2N7002L 2N7002KL 2N7002BK 2N7002E 2N7002KB 2N7002T 7002 소형 신호 MOSFET 트랜지스터 3000 개/롤

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주요 속성

핵심 산업 사양

모델 번호
2N7002
유형
MOSFET
유명 상표
JSMSEMI
포장 유형
표면 마운트

기타 속성

장착 유형
SOT23
설명
60V MOSFET
원래 장소
Guangdong, China
패키지/케이스
SOT23
유형
SMD
작용 온도
-55-150C
시리즈
2N7002
D/ C
2024
신청
MOSFET 드라이버
공급 유형
원래 제조 업체
상호 참조
MMBT7002, 2N7002K, 2N7002L, 2N7002KL, 2N7002BK, 2N7002E, 2N7002KB, 2N7002T, 2N7002MTF-NL, 2N7002ET1G, 2N7002LT1G, 2N7002A-7-F, 2N7002KA, MMBT7002K
미디어 가능
데이터 시트, 사진
品名
N-channel MOS
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
60V
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
115MA
전원 최대
200MW
작동 온도
-55-150C
마운트 유형
표면 마운트
FET 유형
MOS
FET 특징
표준
드레인 근원 전압 (Vdss)
60V
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
115MA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
115MA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
20PF
현재 등급 (암페어)
115MA
전원 출력
200MW
전압-정격
60V
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
0
Vgs (최대)
60V
IGBT 유형
MOS
구성
적용
Vce () (최대) @ Vge, Ic
115MA
전압 고장 (V (BR) GSS)
60V
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
115MA
현재 하수구 (Id)-Max
115MA
전압
60V
전압-출력
6V
전압 오프셋 (Vt)
60V
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
115MA
전류 밸리 (Iv)
115MA
전류-피크
115MA
응용프로그램
Consumer electronics
트랜지스터 유형
N CHANNAL MOS

포장 및 배송

판매 단위:
단일 품목
단일 패키지 크기:
22X22X4 cm
단일 총 중량:
0.150 kg

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