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      3N62K3 STP3N62K3 새로운 스팟 MOS FET TO-220 620V 2.7A

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      Shenzhen Dyd Technology Co., Ltd.3 yrsCN
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      주요 속성

      핵심 산업 사양

      모델 번호
      STP3N62K3
      유형
      -
      유명 상표
      JXD
      포장 유형
      TO-220

      기타 속성

      설명
      STP3N62K3
      원래 장소
      -
      패키지/케이스
      -
      시리즈
      STP3N62K3
      D/ C
      22 +
      신청
      -
      공급 유형
      원래 제조 업체, 다른
      미디어 가능
      사진, 다른
      品名
      STP3N62K3
      전류 콜렉터 (Ic) (최대)
      -
      전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
      -
      Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
      -
      전류 콜렉터 컷오프 (최대)
      -
      DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
      -
      전원 최대
      -
      주파수-전환
      -
      작동 온도
      -
      마운트 유형
      -
      저항 (R1)
      -
      저항 이미터 (R2)
      -
      FET 유형
      -
      FET 특징
      -
      드레인 근원 전압 (Vdss)
      -
      현재-드레인 (Id) @ 25 °C
      -
      Rds (Max) @ Id, Vgs
      -
      Vgs (th) (최대) @ Id
      -
      게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
      -
      입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
      -
      주파수
      -
      현재 등급 (암페어)
      -
      잡음
      -
      전원 출력
      -
      전압-정격
      -
      드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
      -
      Vgs (최대)
      -
      IGBT 유형
      -
      구성
      -
      Vce () (최대) @ Vge, Ic
      -
      입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
      -
      입력
      -
      NTC 서미스터
      -
      전압 고장 (V (BR) GSS)
      -
      전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      -
      현재 하수구 (Id)-Max
      -
      전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
      -
      저항 RDS (On)
      -
      전압
      -
      전압-출력
      -
      전압 오프셋 (Vt)
      -
      전류 게이트 양극 누설 (Igao)
      -
      전류 밸리 (Iv)
      -
      전류-피크
      -
      응용프로그램
      -
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