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60N60 600V 120A 298W 딥 IGBT 트랜지스터 SGT60N60FD1PN FGH60N60UFDTU FGH60N60SFDTU FGH60N60SMD FGH60N60SFTU
(1 review)
Dongguan Mixin Micro Semiconductor Co., Ltd.
맞춤 제조업체
3 yrs
CN
주요 속성
핵심 산업 사양
모델 번호
FGH60N60
유형
IGBT 트랜지스터
유명 상표
Original
포장 유형
생각 구멍
기타 속성
장착 유형
원본
설명
IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247
원래 장소
China
패키지/케이스
TO-247-3
유형
이산 반도체 제품
작용 온도
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
시리즈
트랜지스터
D/ C
새로운
공급 유형
기타
미디어 가능
기타
品名
FGH60N60
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
120 A
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
600 V
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
2.4V @ 15V, 60A
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
N/A
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
N/A
전원 최대
298 W
주파수-전환
1.81mJ (on)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
마운트 유형
구멍
저항 (R1)
N/A
저항 이미터 (R2)
N/A
FET 유형
N/A
입력
표준
NTC 서미스터
N/A
전압 고장 (V (BR) GSS)
N/A
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
N/A
현재 하수구 (Id)-Max
N/A
브랜드
원본
스타킹 시간
3-5 일
배달 주소
심천
게이트 충전
188 nC
Td (온/오프) @ 25 ° C
23ns/130ns
테스트 조건
400V, 60A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)
47 ns
더 보기
리드 타임
수량 (개)
1 - 1000
> 1000
예상 시간(일)
3
협의 예정
커스터마이징
PCBA
최소 주문: 1
SMT
최소 주문: 1
PCB
최소 주문: 1
BOM
최소 주문: 1
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