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8 "dia 마이크로 led를 위한 200 mm GaN-on-Si Epi 웨이퍼 6 인치 AlGaN/GaN HEMT-on-HR Si Epi 웨이퍼

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주요 속성

기타 속성

원래 장소
Shanghai, China
유명 상표
XINKEHUI
모델 번호
Barrier AlGaN or AlN or InAlN
유형
에피 택셜 웨이퍼
Thickness
semi standard
MOQ
2pcs
Application
powder device
Grade
prime
product name
layer on Si substrates
Certification
ROHS
Surface
SSP
Diamater
6INCH OR 8INCH
Substrate
si or sic
Shipping Term
FOB

포장 및 배송

포장 세부정보
single wafer case by vacuum package
항구
Shanghai port

공급 능력

공급 능력
100 개 per Month

리드 타임

수량 (개)1 - 10 > 10
예상 시간(일)14협의 예정

커스터마이징

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최소 주문: 1000
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최소 주문: 1000
Graphic customization
최소 주문: 1000

공급업체의 제품 설명

10 - 99 개
₩1,110,573
>= 100 개
₩694,109

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