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BCP69 달링턴 기타 ics 칩셋
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주요 속성
핵심 산업 사양
모델 번호
BCP69
유형
표준
유명 상표
Original
포장 유형
표면 마운트
기타 속성
장착 유형
PCB
설명
새로운
원래 장소
Negeri Sembilan, Malaysia
패키지/케이스
SOT-223
유형
트랜지스터
작용 온도
표준
시리즈
트랜지스터
D/ C
새로운
신청
원본
공급 유형
기타
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
원본
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
원본
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
원본
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
원본
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
원본
전원 최대
원본
주파수-전환
원본
작동 온도
원본
마운트 유형
PCB
저항 (R1)
원본
저항 이미터 (R2)
원본
FET 유형
원본
FET 특징
원본
드레인 근원 전압 (Vdss)
원본
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
원본
Rds (Max) @ Id, Vgs
원본
Vgs (th) (최대) @ Id
원본
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
원본
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
원본
주파수
원본
현재 등급 (암페어)
원본
잡음
원본
전원 출력
원본
전압-정격
원본
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
원본
Vgs (최대)
원본
IGBT 유형
원본
구성
원본
Vce () (최대) @ Vge, Ic
원본
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
원본
입력
원본
NTC 서미스터
원본
전압 고장 (V (BR) GSS)
원본
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
원본
현재 하수구 (Id)-Max
원본
전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
원본
저항 RDS (On)
원본
전압
원본
전압-출력
원본
전압 오프셋 (Vt)
원본
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
원본
전류 밸리 (Iv)
원본
전류-피크
원본
응용프로그램
원본
트랜지스터 유형
원본
가격
환율 변동으로 인해 구매하기 전에 상담하십시오.
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리드 타임
지불 영수증 후 1-2 일 배달.
유형
집적 회로
작동 온도
-40 ℃ ~ 85 ℃
설명
원본
응용 프로그램
자동차 항공 우주 가정용 통신
출력 유형
SRAM
전압 공급
2V ~ 3.6V
포장 및 배송
판매 단위:
단일 품목
단일 패키지 크기:
XX cm
단일 총 중량:
kg
리드 타임
| 수량 (개) | 1 - 10000 | > 10000 |
| 예상 시간(일) | 3 | 협의 예정 |
